据闪德资讯获悉,中国存储制造商正瞄准HBM市场。
目标是在今年年底前完成第四代HBM产品HBM3的量产认证流程。
该厂商正在积极扩建位于北京和合肥的工厂,预计将通过这些基地提升HBM产能。
业界预计,将在两年内实现目前最先进的第五代HBM(HBM3E)的量产。
专家评估,如果成功进入高端市场,影响将难以想象。
数据显示,HBM去年占DRAM出货量的5%,但销售额却高达20%,附加值之高令人感叹。
受美国出口限制影响,中国市场HBM需求将进一步扩大。
如果中国厂商能够化解困境,积蓄力量,迈向全球舞台,未来HBM的竞争格局将有望改变。
中国在研发投资方面也展现出积极姿态。
去年,在美国、日本和欧洲等竞争对手还在喘息之际,中国却提高了研发投资比例。
据统计,中国去年将半导体总销售额的9.2%用于研发,比上年(7.6%)增长了1.6%。
这与同期美国(19.3% → 17.7%)、日本(12.0% → 5.7%)和欧洲(14.0% → 10.8%)等主要国家的比例均有所下降形成鲜明对比。
中国存储器即将占据全球10%的市场份额。在美国加强对先进半导体技术管控的背景下,中国凭借稳固的国内市场和技术自力更生,在一年内实现了市场份额翻番。
美国半导体技术和设备出口的制裁并未阻挡中国半导体的崛起。
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