重庆云潼科技取得应用于MOS器件的双脉冲测试电路专利缩小驱动信号与被测MOS管和被测电路间的回路_行业新闻

重庆云潼科技取得应用于MOS器件的双脉冲测试电路专利缩小驱动信号与被测MOS管和被测电路间的回路

创始人

2025-06-19 15:08:57

0次

金融界2025年6月19日消息，国家知识产权局信息显示，重庆云潼科技有限公司取得一项名为“一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路”的专利，授权公告号CN222994601U，申请日期为2024年07月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路，包括：驱动电路、测试电路，驱动电路和测试电路设于同一测试电路板上，驱动电路的一端与第二被测MOS管Q5的栅极连接，驱动电路的另一端与外部信号发生器连接用于接收信号；第二被测MOS管Q5与电源VCC之间串联有第二被测MOS管Q4，第二被测MOS管Q4的源极与第二被测MOS管Q5的漏极连接，第二被测MOS管Q4与第二被测MOS管Q5设于同一被测电路板上；测试电路的一端电源VCC连接，测试电路的另一端接地，测试电路与第二被测MOS管Q5并联；在测试过程中，通过PCB与PCB板连接的方式，即测试电路板和被测电路板的连接方式，缩小了驱动信号与被测MOS管和被测电路间的回路，减小产生的干扰震荡。

天眼查资料显示，重庆云潼科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本938.2238万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

企业显示云潼器件电路驱动脉冲测试重庆专利双脉测电路电路板重庆云潼科技

上一篇：小米取得充电电路及电子设备专利，提升充电电路在低电流充电阶段的充电效率

下一篇：诺雅克电气取得隔离开关的开关单元专利，灭弧性能好

重庆云潼科技取得应用于MOS器件的双脉冲测试电路专利缩小驱动信号与被测MOS管和被测电路间的回路

相关内容

热门资讯

重庆云潼科技取得应用于MOS器件的双脉冲测试电路专利 缩小驱动信号与被测MOS管和被测电路间的回路

相关内容

热门资讯

重庆云潼科技取得应用于MOS器件的双脉冲测试电路专利缩小驱动信号与被测MOS管和被测电路间的回路