广能达半导体申请半导体射频电源功率放大器谐振驱动电路及应用专利，降低成本
创始人
2025-06-21 10:10:35
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体射频电源功率放大器的谐振驱动电路及应用”的专利，公开号CN120185563A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体射频电源功率放大器的谐振驱动电路，包括用于驱动垂直双扩散场效应晶体管的LC串联谐振电路，LC串联谐振电路包括由变压器副边、电感、电阻和电容组成的回路；电容等于垂直双扩散场效应晶体管的寄生电容，电阻等于垂直双扩散场效应晶体管、电感的线圈和电路板的内阻之和；驱动信号从变压器副边输入LC串联谐振电路，LC串联谐振电路谐振时，利用电容和电感的能量存储与释放特性驱动垂直双扩散场效应晶体管。
天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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