融芯微电子取得改善雪崩特性的平面式功率金属氧化物半导体专利，改善器件的雪崩特性
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2025-06-21 10:10:40
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，南京融芯微电子有限公司取得一项名为“一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体”的专利，授权公告号CN223007815U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种雪崩特性改善的平面式功率金属氧化物半导体，包括多个重复性单元，任意一个重复性单元结构包括：外延层；P阱区；氧化层，沉积在所述P型阱区内；P型多晶硅，形成于所述P型阱区内；N+阱区，形成于所述P型阱区内；P+阱区，形成于所述P型阱区内；闸极氧化层，位于所述外延层上表面；闸极多晶硅，位于所述闸极氧化层表上表面；介电层，所述介电层将闸极氧化层和闸极多晶硅均包覆在内；金属层，沉积在整个器件的上表面，且通过金属接触孔与P型多晶硅接触。本实用新型通过对器件内部结构的优化，可以在不影响器件其它静态特性的前提下，避免器件因内建BJT过早导通而引发雪崩崩溃，从而改善器件的雪崩特性。
天眼查资料显示，南京融芯微电子有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，南京融芯微电子有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息6条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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