浙江创芯取得半导体LDD扩展宽度测试结构及其形成方法、计算方法专利
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2025-05-16 15:05:23
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司取得一项名为“半导体LDD扩展宽度测试结构及其形成方法、计算方法”的专利，授权公告号CN119381387B，申请日期为2024年12月。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目248次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息304条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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