芬威半导体申请接入区中具有高N掺杂的III族氮化物晶体管专利，改进晶体管导通电阻
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2025-05-16 15:33:28
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，芬威半导体公司申请一项名为“接入区中具有高N掺杂的III族氮化物晶体管”的专利，公开号CN119997550A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，接入区中具有高N掺杂的III族氮化物晶体管。该用于与III族氮化物半导体结构一起使用的新晶体管结构包括位于源极区和漏极区中的重掺杂n++层。源电极和漏电极设置在它们相应的重掺杂n++层上。此外，在一些实施方式中，栅电极的一部分可以设置在重掺杂n++区中的一个或两个上。这些区改进了晶体管的导通电阻，尤其是对于低电压应用。

来源：金融界

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