中科同德申请IGBT模块及其制备方法与半导体器件专利，显著降低晶圆键合过程中的接触电阻和热阻_行业新闻

中科同德申请IGBT模块及其制备方法与半导体器件专利，显著降低晶圆键合过程中的接触电阻和热阻

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2025-05-16 16:34:13

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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，中科同德微电子科技（大同）有限公司申请一项名为“IGBT模块及其制备方法与半导体器件”的专利，公开号CN119993843A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请提供一种IGBT模块及其制备方法和半导体器件，涉及半导体领域。该IGBT模块的制备方法包括以下步骤：首先，提供载板，并沿其厚度方向开设若干通孔；然后，将导电件植入这些通孔中，使得每个导电件两端均露出载板，从而形成组合件。接着，提供晶圆，并在其厚度方向的至少一面上设置若干间隔排布的导电凸块。将晶圆贴覆在载板上，确保每个导电件的一端与相应导电凸块接触，从而形成待烧结件。最后，对待烧结件进行烧结处理，以获得IGBT模块。本申请的方法显著降低了晶圆在键合过程中产生的接触电阻和热阻，从而有效减少芯片工作时产生的热量。通过优化热管理，这种IGBT模块可靠性和稳定性得到了显著提升，适应了对高性能半导体器件日益增长的需求。

天眼查资料显示，中科同德微电子科技（大同）有限公司，成立于2023年，位于大同市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科同德微电子科技（大同）有限公司财产线索方面有商标信息9条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

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