上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，简化刻蚀步骤
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2025-05-16 19:07:53
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN119993902A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构、制备方法及电子设备。该半导体结构的制备方法包括提供衬底，衬底内包括沿平行于衬底顶面的第一方向间隔排布的沟槽、相邻沟槽限定的有源区，以及覆盖沟槽和有源区顶面的介电层，其中，介电层包括第一介电层，以及第一介电层包覆的第二介电层；图案化第二介电层，以暴露第一介电层的部分顶面；基于图案化后的第二介电层，刻蚀第一介电层，以暴露有源区的目标顶面。通过图案化后的第二介电层对第一介电层进行刻蚀，无需在第一介电层的顶面额外增加掩膜层，简化对第一介电层进行刻蚀的步骤，避免第一介电层在刻蚀过程中受到刻蚀损伤，保护第一介电层的顶面形貌，进而可以避免第一介电层因刻蚀导致的厚度不均匀的问题。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1817次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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