南亚科技申请具有至少一个气隙的半导体元件及其制造方法专利，公开一种半导体元件及其制造方法
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2025-06-28 17:09:19
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有至少一个气隙的半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120224685A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本申请案公开一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一上部金属线及一下部金属线。该上部金属线设置于该下部金属线之上。至少一气隙设置在该上部金属线与该下部金属线之间。

来源：金融界

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