长鑫存储取得电容结构及其形成方法和存储器专利
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2025-07-05 09:38:10
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金融界2025年7月5日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容结构及其形成方法和存储器”的专利,授权公告号CN115701274B,申请日期为2021年07月。

天眼查资料显示,长鑫存储技术有限公司,成立于2017年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫存储技术有限公司参与招投标项目382次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可54个。

来源:金融界

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