长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利，有效提高半导体器件的耐压能力
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2025-05-17 02:35:37
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN119997557A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体；半导体本体还包括阱区、第一区域、第一绝缘层和第二绝缘层，第一区域设置于第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧，第一绝缘层设置于阱区远离第一表面的一侧；第一表面设置有栅极沟槽；位于栅极沟槽内的栅极；位于栅极远离半导体本体一侧的层间介质层，层间介质层在第一表面的垂直投影覆盖栅极在第一表面的垂直投影；位于第一表面的源极；位于第二表面的漏极。本发明可以有效提高半导体器件的耐压能力。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司专利信息58条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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