中芯国际申请半导体结构及其制备方法专利 提高了半导体器件的性能
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2025-07-11 14:39:09
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120300095A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：内嵌有导电通孔的中介层；同位于中介层的第一侧的第一互连结构和元件结构；位于所述中介层中的深沟槽容器，所述深沟槽容器靠近中介层的第二侧设置，第二侧与第一侧互为中介层的相对侧；以及位于中介层的第二侧的第二互连结构，深沟槽电容器通过第二互连结构、导电通孔与第一互连结构电连接。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界
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