中芯国际申请半导体结构及其制备方法专利提高了半导体器件的性能_行业新闻

中芯国际申请半导体结构及其制备方法专利提高了半导体器件的性能

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2025-07-11 14:39:09

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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120300095A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：内嵌有导电通孔的中介层；同位于中介层的第一侧的第一互连结构和元件结构；位于所述中介层中的深沟槽容器，所述深沟槽容器靠近中介层的第二侧设置，第二侧与第一侧互为中介层的相对侧；以及位于中介层的第二侧的第二互连结构，深沟槽电容器通过第二互连结构、导电通孔与第一互连结构电连接。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。

来源：金融界

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