上海华力微电子申请 WAT 测试结构专利，通过电阻值评估不同尺寸像素结构中厚胶层次离子注入角度
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2025-05-17 09:02:43
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金融界 2025 年 5 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“一种 WAT 测试结构”的专利，公开号 CN119993959A，申请日期为 2025 年 2 月 。
专利摘要显示，本发明公开了一种 WAT 测试结构，属于半导体技术领域，该 WAT 测试结构，包括衬底，所述衬底的预定深处设置至少一 DNPPD 区，所述DNPPD 区的顶部分别设置有 SDP 和 SDN，用于接出进行电性测试，所述DNPPD 区中还设置有第二 DPW，所述第二 DPW 和所述 SDP 之间设置至少一 P 型离子掺杂区，以连接所述 SDP 和所述第二 DPW，且所述 SDN 和所述DNPPD 区之间设置至少一 N 型离子掺杂区，以连接所述 SDN 和所述 DNPPD 区。通过将 DNPPD 区上的 SDP 和 SDN 接出，测试 DNPPD 区的电阻，通过电阻值评估不同尺寸像素结构中厚胶层次离子注入角度。
来源：金融界
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