新微半导体申请HEMT器件结构及其制备方法专利，降低源漏极欧姆接触电阻
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2025-07-12 11:38:31
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“HEMT器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN120302664A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种HEMT器件结构及其制备方法，通过在半导体衬底上形成外延层，该外延层包括HEMT器件的沟道层及势垒层，然后在该外延层上形成第一钝化层，接着于第一钝化层上表面若干个第一预设区域向下形成盲凹槽，对盲凹槽下方的外延层表面预设深度进行离子注入形成N型掺杂区，最后利用第一钝化层阻挡激光，选择性地仅对N型掺杂区进行激光退火，实现了局部加热激活掺杂剂，降低了源漏极欧姆接触电阻，提高了HEMT器件的性能，解决了传统工艺中HEMT器件结构整体退火激活掺杂剂时高温破坏外延层非注入区域，以及半导体衬底受热变形的问题。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目826次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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