金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“改善深沟槽超级结器件IDSS离散的方法”的专利,公开号CN120302698A,申请日期为2025年03月。
专利摘要显示,本发明提供一种改善深沟槽超级结器件IDSS离散的方法,将衬底转移至反应室中,深沟槽的表面因自然氧化形成有氧化层,深沟槽与氧化层的界面形成有N型杂质浓度大于外延层的硅层,将反应室内的温度升高至第一设定温度,将反应室内的压力提高至第一设定压力,在腔体中通入还原性气体,使得深沟槽表面的氧化层去除;将反应室内的压力降低至第二设定压力,持续降低反应室中的温度,且深沟槽的底部温度大于其顶部温度,并向反应室中通入刻蚀气体,利用刻蚀气体去除深沟槽表面的硅层,待反应室中的温度降低至第二设定温度时,停止通入刻蚀气体;将反应室内的压力提高至第三设定压力,去除深沟槽中残留的刻蚀气体。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2925次,专利信息1710条,此外企业还拥有行政许可117个。
来源:金融界