中芯国际申请存储单元及其形成方法、数据写入方法、存储器专利，提高了存储单元写入数据的准确率_行业新闻

中芯国际申请存储单元及其形成方法、数据写入方法、存储器专利，提高了存储单元写入数据的准确率

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2025-07-13 00:37:37

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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储单元及其形成方法、数据写入方法、存储器”的专利，公开号CN120302869A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本发明公开了一种存储单元及其形成方法、数据写入方法、存储器，所述存储单元包括：基底；依次位于基底上的重金属层、磁性隧道结层以及顶部金属层；重金属层沿第一预设方向上的两侧分别设置有第一接入端口以及第二接入端口，顶部金属层沿第二预设方向上设置有第三接入端口；第一预设方向为平行于重金属层与基底的接触面的方向，第一预设方向与第二预设方向相互垂直；磁性隧道结层包括自由层；其中，第一接入端口、第二接入端口用于向重金属层中输入第一电流，第三接入端口用于向顶部金属层中输入第二电流，第一电流、第二电流用于翻转自由层的自旋方向。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。

来源：金融界

企业方法数据方向中芯国际存储器端口接入专利重金属电流单元中芯重金属层

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