森未科技申请超结IGBT器件及其制备方法专利，抑制关断电压尖峰
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2025-07-18 22:38:28
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，成都森未科技有限公司申请一项名为“超结IGBT器件及其制备方法”的专利，公开号CN120343935A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种超结IGBT器件及其制备方法；该超结IGBT器件，包括：依次设置的集电层、缓冲层、耐压层、以及顶部复合结构；顶部复合结构包括顶部基层和栅极结构，顶部基层具有沟槽，栅极结构形成于沟槽内；其中，耐压层包括交替分布的第一耐压区和第二耐压区，且第二耐压区和第一耐压区形成插指状分布。该超结IGBT器件中的第二耐压区和第一耐压区形成插指状分布，在器件关断的过程中，能够利用呈插指状分布的第二耐压区和第一耐压区，有效地增加载流子抽取路径的电阻，以降低器件关断阶段的电流下降速度，从而抑制关断电压尖峰，并改善器件发生过压击穿而失效的问题。
天眼查资料显示，成都森未科技有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1261.0514万人民币。通过天眼查大数据分析，成都森未科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息14条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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