纳微朗申请发光二极管芯片专利，克服超高密度像素显示的工艺、良率与成本问题
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2025-05-17 16:35:12
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金融界 2025 年 5 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，纳微朗科技（深圳）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其芯片组、显示模组”的专利，公开号 CN119993963A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管芯片及其芯片组、显示模组，涉及半导体技术领域，该发光二极管芯片包括 N 型电极、P 型电极以及设置于 N 型电极和 P 型电极之间的发光层；发光层分别与 N 型电极和 P 型电极电性导通；发光层包括至少一个像素子组，像素子组包括至少两个子像素；至少两个子像素包括具有第一发光波长的第一子像素和具有第二发光波长的第二子像素，第一发光波长与第二发光波长不等。本申请能够灵活调整发光二极管芯片以及 RGB 全彩芯片组的尺寸，减小巨量转移中的转移数量和转移难度，从而能克服超高密度像素显示产品中以巨量转移为代表的工艺，良率和成本问题。
天眼查资料显示，纳微朗科技（深圳）有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160万人民币。通过天眼查大数据分析，纳微朗科技（深圳）有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息16条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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