华为申请半导体器件及其制作方法等相关专利，降低欧姆接触的电阻率
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2025-07-29 17:10:01
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件、其制作方法、功率放大器芯片及电子设备”的专利，公开号CN120390422A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件、其制作方法、功率放大器芯片及电子设备。半导体器件包括：半导体衬底、外延层和第一电极。外延层的表面设有第一凹槽，第一电极的一部分位于第一凹槽内部，另一部分凸出于外延层背离半导体衬底一侧的表面。第一电极为源极或漏极，第一电极包括：接触层、金属隔离层和抗氧化金属层，接触层在第一凹槽的内壁与外延层接触，金属隔离层位于接触层与抗氧化金属层之间，抗氧化金属层凸出于金属隔离层背离半导体衬底一侧的表面的厚度大于等于400nm、且大于等于沟道层厚度的2倍。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1516个。
来源：金融界
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