瑶芯微申请超结MOSFET结构及制作方法专利，降低导通电阻
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2025-08-04 18:11:48
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“一种超结MOSFET结构及制作方法”的专利，公开号CN120417440A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明提供一种超结MOSFET结构及制作方法，该方法包括：提供基底，基底上设有外延层，于外延层中形成填充层和沟槽，沟槽与填充层间隔预设距离；于外延层中形成阱区和屏蔽区，阱区由外延层的上表面向下延伸入外延层内部，阱区外围的外延层构成JFET区，沟槽位于所述JFET区中；于阱区中形成源区和阱接触区，阱接触区贯穿源区延伸入阱区中；于阱区及JFET区上形成栅极结构，且栅极结构延伸入沟槽中与屏蔽区连接。本发明中栅极结构延伸入JEFT区域的沟槽中，可在JEFT区域形成高浓度载流子路径，降低导通电阻；同时缩小JFET区域宽度，且沟槽下方设有屏蔽区，可有效屏蔽栅氧层在高压反偏下的电场集中，实现器件可靠性提升。
天眼查资料显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1685.2302万人民币。通过天眼查大数据分析，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息18条，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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