无锡升滕半导体申请一种半导体反应腔室专利，提升半导体制造的良品率
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2025-05-18 21:35:52
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金融界 2025 年 4 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡升滕半导体技术有限公司申请一项名为“一种半导体反应腔室”的专利，公开号 CN 119833383 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明属于半导体制造技术领域，且公开了一种半导体反应腔室，包括用于半导体进行等离子蚀刻的壳体，可拆卸安装在所述壳体顶部开口处的密封盖，设置在所述壳体内腔中部的静电卡盘以及设置在所述静电卡盘与所述壳体内腔壁之间的清理机构。本发明通过壳体、静电卡盘、清理机构配合设计，清理的均匀性好，便于使反应腔内的上部与下部清理效果一致，不易使发生颗粒残留，有助于提升半导体制造的良品率，提升了设备的使用效果和实用性，避免了反应腔上部受到的清理效果好，而下部受到的清理效果较差，清理的均匀性差，使反应腔内腔下部附着的颗粒不易脱落，易影响半导体制造的良品率，同时降低了设备使用的效果和实用性的问题。
天眼查资料显示，无锡升滕半导体技术有限公司，成立于2010年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡升滕半导体技术有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可31个。
来源：金融界
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