芯合半导体取得半导体器件插塞形成方法及其半导体器件专利
创始人
2025-08-20 12:38:07
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金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,芯合半导体公司取得一项名为“半导体器件插塞形成方法及其半导体器件”的专利,授权公告号CN115084013B,申请日期为2022年06月。

来源:金融界

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