上海新硅聚合申请半导体衬底结构相关专利，降低微波损耗
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2025-05-19 18:32:00
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金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种半导体衬底结构的形成方法及半导体衬底结构”的专利，公开号CN119987054A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体衬底结构的形成方法及半导体衬底结构，方法包括：提供衬底层；在衬底层上形成第一缺陷层，在衬底层下形成第二缺陷层；采用气相沉积工艺在第一缺陷层上形成光学隔离层；光学隔离层的光学折射率小于1.8，介电常数小于6；气相沉积工艺的温度低于200摄氏度；在光学隔离层上形成光电功能层，得到半导体衬底结构。本申请实施例中，通过在衬底层上形成第一缺陷层来抑制寄生电容效应，降低了微波损耗；采用气相沉积工艺在第一缺陷层上形成低介电常数的超厚光学隔离层来提高微波的传播速度，实现了微波与光波的速度匹配。此方法可以快速制备半导体衬底结构，且利用该半导体衬底结构制备的电光调制器可兼具高带宽和低半波电压。
天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本37233.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目123次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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