维普半导体申请掩模表面颗粒缺陷检测方法专利，不需要提供掩模设计文件
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2025-05-20 17:37:30
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，常州维普半导体设备有限公司申请一项名为“掩模表面颗粒缺陷检测方法”的专利，公开号CN120009306A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开了掩模表面颗粒缺陷检测方法，方法的步骤中含有：S1：将透射光下采集的透射光图像作为检测图像，反射光下采集的反射光图像作为屏蔽信号检测透射光下掩模的缺陷；其中，步骤S1具体为：S11：初始化缺陷结果矩阵C；S12：对透射光采集掩模的透射光图像位移N个像素，得位移后透射光图像，对位移后透射光图像和原透射光图像求灰度差，得透射差值图；S13：对反射光采集掩模的反射光图像反色，得反色后反射光图像；S14：对反色后反射光图像位移N个像素，得位移后反射光图像，对位移后反射光图像和反色后反射光图像求灰度差，得反射差值图。通过该方法可以不需要提供掩模设计文件，并提高检测效果。
天眼查资料显示，常州维普半导体设备有限公司，成立于2019年，位于常州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本346.6326万人民币。通过天眼查大数据分析，常州维普半导体设备有限公司共对外投资了2家企业，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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