昇维旭申请半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法专利，涉及半导体领域
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2025-05-20 21:07:37
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法”的专利，公开号CN120015743A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法，涉及半导体领域。测试结构包括第一待测金属线和第二待测金属线，第一待测金属线及第二待测金属线堆叠分布，导电测试结构包括第一导电测试部和/或第二导电测试部，第一导电测试部与第一待测金属层同层分布，第二导电测试部与第二待测金属层同层分布；第一导电测试部的各处等线宽，第二导电测试部的各处也等线宽；第一导电测试部与第一待测金属线的间距处处相等，第二导电测试部与第二待测金属线的间距处处相等；第一待测金属线与第二待测金属线通过过孔连接；第一测试垫与第一导电测试部或第二导电测试部连接；第二测试垫与第一待测金属线或第二待测金属线连接。
天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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