金融界2025年2月28日消息,国家知识产权局信息显示,常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种软快恢复FRD二极管芯片”的专利,授权公告号 CN 222532098 U,申请日期为2024年1月。
专利摘要显示,本实用新型涉及二极管技术领域,尤其涉及一种软快恢复FRD二极管芯片,包括硅片,所述硅片采用双基区扩散片,所述双基区扩散片包括P+区,所述P+区的厚度为90μm,所述P+区的一侧设置有N‑区,所述N‑区的厚度为60μm,所述N‑区的一侧设置有N区,所述N区的厚度为30μm,所述N区的一侧设置有N+区,所述N+区的厚度为50μm。通过选用电阻率45‑50 Ω·cm,厚度T=250±5μm的硅片,与传统的FRD芯片相比较,该硅片制成的芯片在正向电压不显著增加的情况下,可获得更高的反向击穿电压,通过采用双基区扩散工艺,新增的基区N比原基区N‑的杂质浓度高在施加反向偏压时将载流子抽走的时间加长,即tb值变大,将软度因子S值提高到0.65左右,有效改善二极管的软度。
天眼查资料显示,常州星海电子股份有限公司,成立于1990年,位于常州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币,实缴资本1200万人民币。通过天眼查大数据分析,常州星海电子股份有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目15次,专利信息123条,此外企业还拥有行政许可7个。
来源:金融界