新存科技申请相变存储器及其形成方法专利，提供一种相变存储器及其形成方法
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2025-05-21 17:03:15
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120018517A，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器包括：第一导电线、第二导电线和在第一方向上位于所述第一导电线与所述第二导电线之间的存储单元；所述存储单元沿所述第一方向延伸；所述第一导电线沿第二方向延伸，并与沿所述第二方向排布的多个所述存储单元连接；所述第二导电线沿第三方向延伸，并与沿所述第三方向排布的多个所述存储单元连接；所述第二方向与所述第三方向相交，且均与所述第一方向垂直；第一隔离结构，所述第一隔离结构位于在所述第二方向上相邻的两个所述存储单元之间，并位于分别与所述在所述第二方向上相邻的两个所述存储单元连接的所述第二导电线之间；所述第一隔离结构的热导率的范围为0.3W/(m·K)至0.45W/(m·K)。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1718.4646万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息112条。
来源：金融界
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