格科半导体申请CMOS图像传感器及其制造方法专利，图像传感器WP性能显著改善
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2025-05-21 19:42:38
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种CMOS图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN120018606A，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。所述方法包括：步骤S1，确定目标离子束电流强度：调节离子束电流强度，获得多组离子束电流强度和对应的束流密度，形成一拟合曲线；根据拟合曲线的最低点或较低点对应的束流密度确定目标离子束电流强度；步骤S2，提供具有像素区的衬底；步骤S3，通过离子注入工艺向衬底的像素区注入离子，形成掺杂区，离子注入工艺采用目标离子束电流强度进行离子注入。相较于现有采用低离子束电流强度注入的方法，本发明基于低束流密度的需求，采用相对更高的离子束电流强度进行注入，对晶格损伤更小，图像传感器WP性能得到显著改善的同时，更高的离子束电流强度使得注入时间减少，产能得以提升。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息79条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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