紫光半导体申请在半导体元件上形成超低介电常数薄膜专利，减少超低介电常数薄膜中的孔洞
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2025-05-21 20:04:36
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“在半导体元件上形成超低介电常数薄膜的方法和得到的半导体元件”的专利，公开号CN120015618A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种在半导体元件上形成超低介电常数薄膜的方法和得到的半导体元件，本公开的方法在设置有多个存储单元的半导体元件上分步形成超低介电常数薄膜，同时控制每次形成的第一部分的超低介电常数薄膜的厚度与相邻两个存储单元的距离的比例，并且在每次形成第一部分超低介电常数薄膜后，对其进行扩孔处理，避免形成不利于沉积填洞的深孔，具有较小深宽比的孔洞有利于完成后续步骤的开孔填充，减少超低介电常数薄膜中的孔洞；再继续形成第二部分超低介电常数薄膜，最后对第二部分超低介电常数薄膜进行化学机械平坦化处理；得到的超低介电常数薄膜中不带有孔洞，具有较高的薄膜质量和较好的性能。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息19条。
来源：金融界
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