澳柯玛云联申请嵌入式源/漏极MOS管及其制备方法专利，降低寄生电容
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2025-05-21 20:04:49
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“嵌入式源/漏极MOS管及其制备方法”的专利，公开号CN120018548A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种嵌入式源/漏极MOS管及其制备方法，通过在栅极侧墙中设置内、外侧墙结构，基于内侧墙结构实现LDD及halo区的离子注入，通过外侧墙结构实现源/漏极的离子注入，且在外侧墙结构中设置一层介电常数最小的空气侧墙，以降低栅极侧墙的等效介电常数，降低寄生电容，减低栅极与SG之间的Vbd(崩溃电压)失效的问题。另外，通过先形成与半导体基底接触并包围栅极外侧壁的内侧墙结构，然后在形成源、漏极沟槽时，形成与半导体基底接触并包围内侧墙结构的外侧墙结构材料层，并通过将牺牲层去除，形成为空气侧墙，至此可在制备MOS管的源漏极的过程中实现带空气侧墙的栅极侧墙的制备，且使栅极侧墙直接形成于半导体基底表面上，工艺简单易于实现。
天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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