常州瀚镓半导体申请改善InGaAs芯片寿命方法专利，大大降低因反向漏电流增大导致芯片失效的风险
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2025-05-22 09:10:15
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，常州瀚镓半导体有限公司申请一项名为“一种用于改善InGaAs芯片寿命的方法”的专利，公开号CN120015626A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及InGaAs芯片寿命技术领域，尤其涉及一种用于改善InGaAs芯片寿命的方法，包括S1、产品选取：S2、无氧烘箱进行预处理：芯片放入无氧烘箱，使其放置在无氧烘箱内洁净的不锈钢铁架上；S3、设置梯度温度曲线：S4、静置观察：将芯片放置在氮气柜中；S5、分选符合规格的产品：根据芯片的反向漏电流大小以及其他相关性能指标进行分选；本方案通过对多批次芯片进行实验和实际应用验证，经过热处理后的芯片在高温工作寿命实验HTOL中的表现明显优于未处理的芯片，芯片的反向漏电流在长时间运行后仍能保持在较低水平，大大降低了因反向漏电流增大导致芯片失效的风险。
天眼查资料显示，常州瀚镓半导体有限公司，成立于2020年，位于常州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4532.81万人民币。通过天眼查大数据分析，常州瀚镓半导体有限公司专利信息9条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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