上海积塔半导体申请栅介质层制备方法及半导体器件制备方法专利，能有效改善NBTI效应
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2025-05-22 16:06:47
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“栅介质层制备方法及半导体器件制备方法”的专利，公开号CN120018565A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了栅介质层制备方法及半导体器件制备方法，栅介质层制备方法包括：在衬底上生成栅氧化层；对具有所述栅氧化层的所述衬底进行至少两次如下循环处理步骤：氮化处理及退火处理。相比于单次氮化处理及退火处理，本实施方式在生成栅氧化层之后，采用分次氮化处理及退火处理，从而能够通过控制处理次数和/或每次处理过程中的参数，更精细控制栅氧化层中的氮掺杂浓度和深度，使得栅氧化层中氮的分布更为均匀，避免了传统工艺中因单次处理导致的局部氮浓度过高或不足的问题，有效改善了NBTI效应，并使得半导体器件性能在高集成度、低功耗条件下保持长期稳定。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1818次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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