南亚科技申请半导体元件结构及其制造方法专利，实现与半导体晶粒通信
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2025-12-05 12:09:41
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件结构及其制造方法”的专利，公开号CN121057225A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，提供一种半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括：一中介层以及一第一电子构件。该中介层包括：一第一半导体晶粒以及一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包括一第一快取存储器及一第一存储器控制电路。该第二半导体晶粒包括一第二快取存储器及一第二存储器控制电路。该第一电子构件设置在该中介层上并且与该第一半导体晶粒及该第二半导体晶粒通信。该第一半导体晶粒包括至少一第一气隙结构或者具有非均匀的尺寸的至少一第一通孔。
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