南亚科技申请具有位元线结构和电容器接触之间的气隙的半导体元件专利，提供一种半导体元件
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2025-05-23 13:08:57
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有位元线结构和电容器接触之间的气隙的半导体元件”的专利，公开号CN120035133A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包含：一第一源/漏极区域和一第二源/漏极区域，设置于一半导体基板中；一位元线结构，设置于该第一源/漏极区域之上并电性连接至该第一源/漏极区域；一电容器接触，设置于该第二源/漏极区域之上并电性连接至该第二源/漏极区域；一第一间隔物结构，夹在该位元线结构和该电容器接触之间，其中该第一间隔物结构包括一气隙；以及一第二间隔物结构，设置于该第一间隔物结构之上，其中该气隙被该第二间隔物结构覆盖。
来源：金融界
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