德州仪器申请具有集成二极管的高电子迁移率晶体管专利，涉及具有集成二极管的高电子迁移率晶体管
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2025-05-23 13:34:59
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有集成二极管的高电子迁移率晶体管”的专利，公开号CN120035167A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及具有集成二极管的高电子迁移率晶体管。一种半导体装置(200)包含衬底(210以及任选地212和214)、在所述衬底上的半导体层堆叠(220、230以及任选地212和214)以及形成于所述半导体层堆叠上或中的栅极(242)、源极(244)和漏极(246)。所述半导体层堆叠可包含非硅沟道层(220)和所述沟道层(220)上的势垒层(230)。所述衬底或所述半导体层堆叠中的至少一者包含二极管(218)、所述二极管(218)的电耦合到所述源极(244)的第一端子以及所述二极管(218)的电耦合到所述漏极(246)的第二端子。
来源：金融界
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