长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，提升了单片集成的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管和碳化硅互补金属氧化物半导体的半导体器件的电学性能_行业新闻

长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，提升了单片集成的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管和碳化硅互补金属氧化物半导体的半导体器件的电学性能

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2025-05-23 13:35:05

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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120035213A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括碳化硅半导体本体，其包括第一器件区域和第二器件区域；第二器件区域包括第一导电类型器件区域和第二导电类型器件区域；碳化硅半导体本体包括电极设置表面；在同一预设温度下，半导体石墨烯层的迁移率大于碳化硅的迁移率；第一半导体石墨烯层位于第一器件区域的电极设置表面，第二半导体石墨烯层位于第一导电类型器件区域的电极设置表面，第三半导体石墨烯层位于第二导电类型器件区域的电极设置表面。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可15个。

来源：金融界

企业显示先进半导体功率电极器件集成碳化硅专利区域导电半导体石墨烯层

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