美高森美SOC申请具有双字线控制的ReRAM存储器单元专利，该ReRAM存储器单元包括ReRAM装置和选择电路
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2025-12-26 11:07:19
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国家知识产权局信息显示，美高森美SOC公司申请一项名为“具有双字线控制的ReRAM存储器单元”的专利，公开号CN121215003A，申请日期为2019年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种ReRAM存储器单元，该ReRAM存储器单元包括ReRAM装置，该ReRAM装置包括设置在第一离子源电极和第二电极之间的固体电解质层；和选择电路，该选择电路包括与ReRAM装置串联连接的两个串联连接的选择晶体管，该两个串联连接的选择晶体管中的每个选择晶体管具有连接到单独控制线的栅极。
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来源：市场资讯
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