塞姆隆申请忆容元件及用于操作忆容元件的方法专利，可在非线性电容-电压曲线下操作
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2025-12-26 11:37:42
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国家知识产权局信息显示，塞姆隆有限责任公司申请一项名为“忆容元件及用于操作忆容元件的方法”的专利，公开号CN121219777A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于在非线性电容‑电压曲线（2）下操作的忆容元件（1）。所述忆容元件（1）包括用于与忆容元件进行电接触的多个电接点、第一电极（3a）以及第二电极（3b）。所述忆容元件（1）还包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个介电层（5a、5b），其中，所述电接点、所述电极（3a，3b）和/或至少一个介电层（5a、5b）具有形成不同深度的势阱的电荷捕获位点以用于捕获不同数量的电荷。此外，本发明还涉及一种用于操作所述忆容元件的方法。
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来源：市场资讯
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