长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器以及存储器系统_行业新闻

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器以及存储器系统

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2025-12-27 14:07:57

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统”的专利，公开号CN121218599A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器以及存储器系统，其中，半导体结构包括：第一堆叠结构，包括交替层叠的第一绝缘层的第一绝缘部、和第二绝缘层；第一接触结构，包括：第一导电部，沿第一方向延伸于第二绝缘层中；以及第二导电部，在第一导电部沿第一堆叠结构的堆叠方向的一侧沿堆叠方向延伸并与部分第一导电部连接；连接结构，包括沿第一方向延伸于第二绝缘层中的连接部；其中，连接部在堆叠方向上位于第一导电部的一侧，连接部环绕第二导电部的侧壁；其中，第一方向与堆叠方向相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1436次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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