铠侠申请半导体装置及其制造方法专利，提高半导体层的特性
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2025-12-27 17:37:00
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121218600A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，提供能够提高半导体层的特性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具有：使用在一个末端具有烷氧基甲硅烷基或硅烷醇基、在另一个末端具有阳离子捕获性有机基团的化合物，对半导体层的表面进行修饰的工序；用含金属离子的溶液对修饰后的半导体层的表面进行处理的工序；对用含金属离子的溶液进行处理后的半导体层的表面进行清洗的工序；使清洗后的半导体层的表面干燥的工序；以及在非氧化性气氛下对干燥后的半导体层的表面进行加热的工序。
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来源：市场资讯
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