胜高申请半导体晶片的清洗方法专利，能够减少半导体晶片的表面的附着颗粒
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2025-12-29 12:08:06
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国家知识产权局信息显示，胜高股份有限公司申请一项名为“半导体晶片的清洗方法”的专利，公开号CN121219818A，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，提出了一种半导体晶片的清洗方法，其能够减少半导体晶片的表面的附着颗粒。本发明的半导体晶片的清洗方法包括：一边使半导体晶片旋转一边清洗所述半导体晶片的第1清洗工序；将所述第1清洗工序后的所述半导体晶片干燥的第1干燥工序；清洗所述第1干燥工序后的所述半导体晶片的第2清洗工序;和将所述第2清洗工序后的所述半导体晶片干燥的第2干燥工序，所述第2清洗工序依次包含：将纯水供给到所述第1干燥工序后的所述半导体晶片的表面的纯水供给工序；将臭氧液供给到所述半导体晶片的表面并进行清洗的第2初始臭氧清洗工序；和通过用氢氟酸水溶液清洗所述半导体晶片的表面的第2氢氟酸清洗、和紧接在所述第2氢氟酸清洗之后的用臭氧液清洗的第2臭氧清洗交替进行清洗的工序。
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