广州增芯申请NMOS器件结构及其形成方法专利，减少寄生电容
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2025-05-23 18:12:51
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“NMOS器件结构及其形成方法”的专利，公开号CN120035186A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，一种NMOS器件结构及其形成方法，器件包括：SOI衬底，SOI衬底包括顶硅层，顶硅层内分布源区、漏区和体接触区，源区和漏区沿第一方向排布，体接触区至少位于源区、以及源区和漏区之间的顶硅层沿第二方向的一侧，第一方向垂直于第二方向；第一隔离结构，至少位于源区和漏区之间的顶硅层与体接触区之间并贯穿所述顶硅层，且第一隔离结构与栅极结构部分重叠，第一隔离结构沿第一方向的两端分别为第一隔离端和第二隔离端，第一隔离端位于源区和漏区之间，第二隔离端在第一方向上齐平于或超出体接触区的边界；栅极结构，位于顶硅层的表面，源区和漏区分别位于栅极结构的两侧，且第一隔离结构与栅极结构部分重叠。以减少寄生电容且浮体效应抑制效果好。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本682000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可167个。
来源：金融界
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