冠禹半导体取得双输入GaN HEMT器件及其制造方法专利
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2025-05-23 18:13:44
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市冠禹半导体有限公司取得一项名为“一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法”的专利，授权公告号CN119789513B，申请日期为2025年03月。
天眼查资料显示，深圳市冠禹半导体有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市冠禹半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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