中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，增加了电容结构的电容密度_行业新闻

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，增加了电容结构的电容密度

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2025-05-23 21:09:40

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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120033184A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在第一极板上形成第一电容介质层；在第一电容介质层上形成第二极板；在第二极板上形成第二电容介质层，第二电容介质层覆盖第二极板的部分顶部和侧壁；在第一电容介质层的部分顶部上形成侧极板，侧极板位于第二电容介质层的侧部且通过第二电容介质层第二极板相隔离；第二电容介质层上形成第三极板。因此，第一极板、第二极板、以及第一电容介质层构成第一电容，第二极板、侧极板、第二电容介质层构成第二电容，第三极板、第二极板、以及第二电容介质层构成第三电容，在同等的面积等其他条件相同的情况下，增加了所形成的电容结构中电容的数目，即增加了电容结构的电容密度。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

来源：金融界

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