镓特半导体申请无应力残余GaN厚膜制备方法专利，得到无隐形裂纹无残余应力的GaN体材料
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2026-01-10 19:09:34
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国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司申请一项名为“一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用”的专利，公开号CN121295349A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用，其特征是：包括：（1）、提供一异质衬底；（2）、利用MOCVD沉积一层低温GaN，且在过程中掺杂Si、C、或O的其中一种掺杂源，形成预应力掩埋层；（3）、利用PECVD或磁控溅射技术在预应力掩埋层上蒸镀和沉积一层掩膜，利用光刻刻蚀孔型阵列形成图形化掩膜；（4）、利用氢化物气相外延在图形化掩膜上外延3D岛状GaN；（5）、在3D岛状GaN上生长GaN单晶非掺杂层；（6）、在GaN单晶非掺杂层上生长掺Ge型GaN；（7）、经过炉内降温后，形成GaN厚膜，在腐蚀液中对GaN厚膜的N面进行选择性腐蚀，得到GaN厚膜。本发明的有益效果是得到无隐形裂纹无残余应力的GaN体材料。
天眼查资料显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司，成立于2017年，位于铜陵市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本42000万人民币。通过天眼查大数据分析，镓特半导体科技（铜陵）有限公司参与招投标项目13次，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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