英特尔申请低电阻平面电容器专利，提升电容器性能
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2025-05-15 10:45:30
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金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“低电阻平面电容器”的专利，公开号CN119894362A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本文公开的实施例包括电容器设备。在实施例中，一种设备包括第一金属层和位于第一金属层上方的第一极板，其中，第一极板是导电的。在实施例中，第二极板位于第一极板上方，其中，第二极板是导电的；并且第三极板位于第二极板上方，其中，第三极板是导电的。在实施例中，第二金属层位于第三极板上方，并且第一过孔位于第一金属层和第二金属层之间，其中，第一过孔接触第一极板和第三极板。在实施例中，第二过孔位于第一金属层和第二金属层之间，其中，第二过孔接触第二极板；并且第三过孔位于第一金属层和第一极板之间。
来源：金融界
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