三安半导体申请发光二极管及发光装置专利,提高发光二极管的工作稳定性和长期可靠性
创始人
2026-01-13 18:36:16
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国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,公开号CN121310734A,申请日期为2025年10月。

专利摘要显示,本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括发光区台面以及围绕发光区台面设置的隔离台面,发光区台面的外边缘与隔离台面的内边缘之间的最小距离为第一间距;隔离台面的内边缘具有第一弧状拐角,发光区台面的外边缘具有第二弧状拐角,第一弧状拐角与第二弧状拐角之间的最小距离为第二间距;第二间距至少不小于15μm。通过限定第二间距,可以从物理结构上确保两个台面间的有效隔离,使得刻蚀工艺中即使存在产生氮化镓残留,也能有效防止氮化镓残留在隔离台面与发光区台面之间形成导电通道,降低漏电风险,提高发光二极管的工作稳定性和长期可靠性。

天眼查资料显示,泉州三安半导体科技有限公司,成立于2017年,位于泉州市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析,泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目60次,专利信息629条,此外企业还拥有行政许可368个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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