澳柯玛云联申请MOS器件及其制造方法专利，降低在栅极沟槽内形成的金属栅极出现空洞缺陷的风险_行业新闻

澳柯玛云联申请MOS器件及其制造方法专利，降低在栅极沟槽内形成的金属栅极出现空洞缺陷的风险

创始人

2026-01-15 09:10:01

0次

国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN121335175A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明涉及一种MOS器件及其制造方法。所述MOS器件包括堆叠于衬底上的至少两个介质层，其叠层对应于衬底上的MOS形成区贯穿设置有栅极沟槽，其中，沿远离衬底的方向，所述栅极沟槽在各介质层中的横截面面积逐层扩大，栅介质层和金属栅极依次堆叠设置并填充所述栅极沟槽。所述栅极沟槽为上宽下窄的倒梯形结构，有利于金属材料的填充，降低在栅极沟槽内形成的金属栅极出现空洞缺陷的风险，而且，所述栅极沟槽的底部横截面较小，可以依照沟道设计设置栅极沟槽的底部尺寸，避免了沟道尺寸变化对器件的影响，所述介质层的数量、厚度以及栅极沟槽在各介质层中的横截面大小可以根据需要适时调整，便于优化栅极沟槽以及金属栅极，可控性强。

天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息95条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法栅极投资沟槽降低器件介质风险专利栅极沟槽介质层

上一篇：德克萨斯仪器申请用于防止短路或过电流保护的不期望触发的方法和设备专利，防止短路或过电流保护的不期望触发

下一篇：烽火电子：主导产品包括航空搜救定位设备

澳柯玛云联申请MOS器件及其制造方法专利，降低在栅极沟槽内形成的金属栅极出现空洞缺陷的风险

相关内容

热门资讯