长江存储申请管理半导体装置中的缝隙结构专利，实现相邻外电极沿第一方向布置且彼此隔离
创始人
2026-01-19 17:08:58
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“管理半导体装置中的缝隙结构”的专利，公开号CN121359601A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，提供了用于管理半导体装置中的缝隙结构的系统、装置和方法。在一方面，半导体装置包括第一堆叠结构和电容器结构，所述第一堆叠结构具有交错的第一导电层和第一电介质层，所述电容器结构沿第一方向延伸穿过第一堆叠结构。电容器结构包括内电极层、铁电层、和多个外电极。相邻外电极沿第一方向布置且彼此隔离。半导体装置包括缝隙结构。缝隙结构的一部分沿垂直于第一方向的第二方向部分地延伸到第一堆叠结构中。半导体装置包括与第一堆叠结构相邻的第二堆叠结构。第二堆叠结构包括与第二电介质层交错的第一导电层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。
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来源：市场资讯
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