融创微电子申请低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备专利，实现低功耗小面积高PSR的电压基准电路设计
创始人
2025-05-24 10:06:42
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，湖南融创微电子股份有限公司申请一项名为“低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备”的专利，公开号CN120029402A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及低功耗小面积高PSR的全MOS电压基准电路及设备，通过在电路工艺上采用耗尽型MOS晶体管和增强型晶体管设计基准电流产生电路和核心基准电路，使其能够在较小的电路面积下产生微小的基准电流，而在核心电路结构上采用了全MOS晶体管的结构设计，大幅节省了电路的面积开销，并且设计了电源电压预处理电路来提供电源电压预处理，以有效提高全MOS电压基准电路的PSR，使其具备低功耗、面积小且高PSR的特点，最终实现低功耗小面积高PSR的电压基准电路设计的目的。
天眼查资料显示，湖南融创微电子股份有限公司，成立于2014年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2696.2077万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南融创微电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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